埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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マルチゲート多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)は近年注目を集め,盛んに研究されているテーマの1つである.本稿では埋め込みメタルゲートを有する自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを550℃のプロセス温度でガラス基板上に作製した結果について報告する.N-ch TFTの見かけ上の移動度は530cm^2/Vsであり,s値は140mV/decであった.この特性はトップゲートn-ch低温poly-Si TFTに比べ優れた性能である.
- 2012-04-20
著者
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原 明人
東北学院大学工学部
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近藤 健二
東北学院大学工学部
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岡部 泰典
東北学院大学工学部
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尾形 浩之
東北学院大学工学部
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一條 賢治
東北学院大学工学部
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鹿 裕将
東北学院大学工学部
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加茂 慎哉
東北学院大学工学部
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