TFT-LCD用低温poly-Siの水素化処理と電子移動度
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概要
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液晶ディスプレイ(LCD)パネル上薄膜トランジスタ(TFT)用のレーザ結晶化poly-Siにおける水素原子の挙動について述べる。水素原子は、poly-Siの移動度を向上させるためにプラズマ励起などで添加したものである。移動度の測定をホール効果により、Si-水素結合の検出をラマン分光により行った。短時間の水素化では、導入された水素原子がSi-Hの形でダングリングボンドを終端し、その結果移動度が増加する。水素化が過剰だと、移動度が減少するとともにSi-H2が発生する。Si-H2は主に粒内欠陥部に形成される。過剰な水素化による効果はプラズマなしの水素化でも起こるので、プラズマダメージの蓄積によるものではないと見なされる。その他に考えられる機構についても議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
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