液晶ディスプレイ用ポリシリコン薄膜のラマン分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
顕微レーザラマン分光法を用いた半導体薄膜の評価技術を紹介する.特に液晶ディスプレイ用ポリシリコン(poly-Si)を評価の対象とする.この方法は,簡便・非破壊・微小領域評価などの特徴をもち,研究・開発・製造の現場で広く用いられている.光学モード(〜520cm^<-1>)を検出して,そのピーク周波数と半値幅から薄膜内の応力と欠陥を解析する.マッピング測定すると,均一性や応力・欠陥分布などの情報も得られる.水素化処理により現れる局在振動子モード(〜2000cm^<-1>)を用いると欠陥を直接検出でき,それらの種類も識別できる.これらの評価手法の適用例として,出発膜であるアモルファスシリコン,高温poly-Si,エキシマレーザや連続発振レーザにより結晶化した低温poly-Siに対する結果を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-01
著者
関連論文
- ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ラマン分光を用いたTFT-LCD用ポリシリコンの評価(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- 液晶ディスプレイ用ポリシリコン薄膜のラマン分光
- SC-8-11 低温poly-Siの結晶評価技術
- ラマン分光による低温poly-Si中の応力、欠陥、水素の評価
- ラマン分光による低温Poly-Si中の応力、欠陥、水素の評価
- TFT-LCD用低温poly-Siの水素化処理と電子移動度
- 液晶ディスプレイパネル用レーザ結晶化ポリシリコン薄膜の移動度に対するプラズマ水素化の効果
- ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si_Ge_x薄膜トランジスタの開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- 招待講演 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 (有機エレクトロニクス)
- 招待講演 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 (シリコン材料・デバイス)
- 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)