光散乱法を利用した薄膜Si_<1-X>Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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エッチング法では観察ができないほどに薄いSiGe中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ56nm,Ge濃度24%のSiGe薄膜中の転位運動を広い温度範囲にわたって測定した。その結果、375℃という非常に低い温度でも一本のアレニウスプロットに従って転位が運動していることを見出した。このことは、今回実験に使用したような高濃度Geサンプルでは、さらに低い温度でも転位が活発にすべり運動する可能性があることを示唆している。また、今回実験に使用したような薄いSi_<0.76>Ge_<0.24>/Siの転位運動の活性化エネルギーは、比較的膜厚が厚いSiGe中の転位のそれと一致することが明らかになった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-12-07

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