田村 直義 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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田村 直義
(株)富士通研究所
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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中村 友二
富士通研究所
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中村 友二
(株)富士通研究所
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原 明人
東北学院大学理工学部
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原 明人
東北学院大学工学部
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児島 学
富士通
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小倉 寿典
富士通(株)
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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福田 真大
富士通(株)
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片上 朗
(株)富士通研究所
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畑田 明良
富士通(株)
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川村 和郎
富士通(株)
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大田 裕之
(株)富士通研究所
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佐久間 崇
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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南 孝宜
富士通(株)
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森 年史
富士通(株)
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児島 学
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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橋本 浩一
富士通(株)
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宮嶋 基守
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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福田 真大
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
(株)富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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畑田 明良
富士通
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
著作論文
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- 光散乱法を利用した薄膜Si_Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 45nm世代向けローカルひずみ技術と32nm世代への展望