畑田 明良 | 富士通

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概要

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• 富士通の論文著者

関連著者

• 畑田 明良

  富士通

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 森 年史

  富士通株式会社

• 田村 直義

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 大田 裕之

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 吉田 親子

  富士通研

• 吉田 親子

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 杉井 寿博

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 射場 義久

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 青木 正樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 能代 英之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角田 浩司

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 畑田 明良

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 中林 正明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山崎 裕一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 高橋 厚

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 児島 学

  富士通

• 小倉 寿典

  富士通(株)

• 金 永ソク

  (株)富士通研究所

• 島宗 洋介

  (株)富士通研究所

• 片上 朗

  (株)富士通研究所

• 佐久間 崇

  (株)富士通研究所

• 早見 由香

  (株)富士通研究所

• 森岡 博

  富士通(株)

• 橋本 浩一

  富士通(株)

• 田島 貢

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田村 直義

  富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 金永 ソク

  (株)富士通研究所

• 田島 貢

  富士通株式会社

• 森岡 博

  富士通株式会社

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 畑田 明良

  富士通(株)

• 森 年史

  富士通(株)

• 助川 和雄

  (株)富士通研究所

• 大田 裕之

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 金永 ソク

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 島宗 洋介

  富士通研究所

• 佐久間 崇

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 畑田 明良

  富士通研究所

• 片上 朗

  富士通研究所

• 添田 武志

  富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 小倉 輝

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 森岡 博

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 渡邉 崇史

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 王 純志

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 早見 由香

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 小倉 寿典

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 森 年史

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 児島 学

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 橋本 浩一

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 佐藤 成生

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 福田 真大

  富士通(株)

• 川村 和郎

  富士通(株)

• 大田 裕之

  (株)富士通研究所

• 南 孝宜

  富士通(株)

• 田村 直義

  (株)富士通研究所

• 児島 学

  富士通(株)

• 宮嶋 基守

  富士通(株)

• 佐藤 成生

  (株)富士通研究所

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  (株)富士通研究所

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 大田 裕之

  富士通研究所

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• 大越 克明

  富士通株式会社

• 福田 真大

  富士通株式会社

• 岡部 堅一

  富士通株式会社

• 助川 和雄

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 岡部 堅一

  富士通セミコンダクター株式会社

• 大越 克明

  富士通セミコンダクター株式会社

• 長永 隆志

  超低電圧デバイス技術研究組合

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著作論文

• プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
• Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
• Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション(先端メモリ)
• STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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