青木 正樹 | 富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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概要
関連著者
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青木 正樹
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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青木 正樹
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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青木 正樹
富士通研
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吉田 親子
富士通研
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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佐藤 嘉洋
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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能代 英之
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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吉田 親子
(株)富士通研究所
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杉山 芳弘
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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畑田 明良
富士通
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吉田 親子
超低電圧デバイス技術研究組合
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杉井 寿博
超低電圧デバイス技術研究組合
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射場 義久
超低電圧デバイス技術研究組合
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青木 正樹
超低電圧デバイス技術研究組合
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能代 英之
超低電圧デバイス技術研究組合
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角田 浩司
超低電圧デバイス技術研究組合
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畑田 明良
超低電圧デバイス技術研究組合
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中林 正明
超低電圧デバイス技術研究組合
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山崎 裕一
超低電圧デバイス技術研究組合
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高橋 厚
超低電圧デバイス技術研究組合
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杉崎 由典
富士通(株)
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岩下 英俊
富士通 ソフトウェア事業本部
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青木 正樹
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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杉崎 由典
富士通株式会社
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青木 正樹
(株)富士通研究所
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青木 正樹
富士通株式会社
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青木 正樹
富士通研究所
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岩下 英俊
富士通(株)ソフトウェア事業本部
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青木 正樹
富士通(株)ソフトウェア事業本部
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杉山 芳弘
富士通研究所
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金澤 正憲
京都大学学術情報メディアセンター
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岡部 寿男
京都大学
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岡部 寿男
京都大学 大型計算機センター
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岩下 英俊
富士通(株)ソフトウエア事業本部
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青木 正樹
富士通株式会社次世代テクニカルコンピューティング開発本部
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佐藤 嘉洋
(株)富士通研究所
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岩佐 拓
(株)富士通研究所
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吉田 親子
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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岩下 英俊
富士通(株)hpc本部第二開発統括部ソフトウェア開発部
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杉崎 由典
富士通(株)ソフトウェア事業本部
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岩下 武史
京都大学学術情報メディアセンター
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義久 智樹
京都大学学術情報メディアセンター
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義久 智樹
京都大学 学術情報メディアセンター
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佐藤 雅重
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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木下 健太郎
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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杉山 芳弘
富士通株式会社
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臼井 英之
京都大学生存圏研究所
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臼井 英之
Kobe University Jst Crest
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佐藤 嘉洋
株式会社富士通研究所
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岩下 武史
京都大学
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岩下 武史
京都大学学術情報メデイアセンター
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉山 芳弘
(株)富士通研究所基盤技術研究所
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吉田 親子
富士通研究所
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三宅 洋平
京都大学学術情報メディアセンター
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大村 善治
京都大学生存圏研究所
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冨田 清司
富士通株式会社
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三宅 洋平
京都大学生存圏研究所
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矢垣 真也
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部
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金澤 正憲
京都大学
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佐藤 嘉洋
富士通マイクロエレクトロニクス
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岩下 英俊
富士通株式会社
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倉澤 正樹
(株)富士通研究所
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李 永〓
(株)富士通研究所
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角田 浩二
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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長永 隆志
超低電圧デバイス技術研究組合
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杉山 芳弘
(株)富士通研究所
著作論文
- SMPにおけるスレッド並列の台数効果と高速化手法について(EVA-1: 性能評価, 2005年並列/分散/協調処理に関する『武雄』サマー・ワークショップ(SWoPP武雄2005)-研究会・連続同時開催-)
- 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
- MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- プラズマ粒子シミュレーション電流計算のOpenMP並列化手法
- 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 並列化ICCG法ソルバによるSMPクラスタ型並列計算機HPC2500のベンチマーク評価
- HPFトランスレータfhpfにおける分散種別を一般化したコード生成手法(数値計算)
- LINPACKとFFTによるHPFコンパイラfhpfの生産性の評価(性能評価,「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2006))
- LINPACK と FFTによるHPFコンパイラfhpfの生産性の評価(性能評価, 「ハイパフォーマンスコンピューティングとアーキテクチャの評価」に関する北海道ワークショップ(HOKKE-2006))
- 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案
- CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合の絶縁破壊特性とそのメカニズム
- システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション(先端メモリ)
- STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)