MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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我々は、1つのトランジスタと2つのMTJ素子(1T2MTJ)を組み合わせて1つのメモリセルとするMRAMの新しい回路方式を提案する。このMRAMは2つのMTJ素子の抵抗の比をダイレクトに電圧で読むことができる。本回路方式は、定電圧リファレンスと折り返しビット線のセルアレイ構成を用いることが可能になり、読み出し動作が安定する。2つのMTJ素子を直列接続して、メモリセル動作を実証した。また、センス回路のSPICEシミュレーション結果を示す。
- 2005-08-12
著者
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佐藤 嘉洋
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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佐藤 嘉洋
株式会社富士通研究所
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佐藤 嘉洋
(株)富士通研究所
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青木 正樹
(株)富士通研究所
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岩佐 拓
(株)富士通研究所
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青木 正樹
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
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青木 正樹
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
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青木 正樹
富士通研
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