混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション(先端メモリ)
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概要
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本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景と狙い,高性能と高信頼化に向けた取り組み,多層配線へのインテグレーションを報告する.高性能化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入を紹介する.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法を紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,SRAM置き換えとして必須の無限回書き換え耐性を実証した結果についても述べる.高集積化については,CMOSが形成されている300mm基板の多層Cu配線間に,STT-MRAMを埋め込むインテグレーションの状況について述べる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-10
著者
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
能代 英之
富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所
-
青木 正樹
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
-
吉田 親子
富士通研
-
畑田 明良
富士通
-
吉田 親子
(株)富士通研究所
-
吉田 親子
超低電圧デバイス技術研究組合
-
杉井 寿博
超低電圧デバイス技術研究組合
-
射場 義久
超低電圧デバイス技術研究組合
-
青木 正樹
超低電圧デバイス技術研究組合
-
能代 英之
超低電圧デバイス技術研究組合
-
角田 浩司
超低電圧デバイス技術研究組合
-
畑田 明良
超低電圧デバイス技術研究組合
-
中林 正明
超低電圧デバイス技術研究組合
-
山崎 裕一
超低電圧デバイス技術研究組合
-
高橋 厚
超低電圧デバイス技術研究組合
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