抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

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概要

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• 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を行い、リセット動作における抵抗変化にかかる時間が低抵抗状態での抵抗値に依存することを見出した。ここでは簡単な熱伝導方程式によってBMO膜内に存在すると考えられるフィラメント内の発熱温度を計算し、リセット時のフィラメント温度が毎リセットで同程度になることを見積もった。リセット動作にこの一般的な熱反応モデルを仮定することによって先のリセット時間と抵抗値の関係がうまく説明でき、リセットには熱アシスト的な作用が大きく寄与していることを推察した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-03-08

著者

• 木下 健太郎

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 青木 正樹

  富士通研究所

• 杉山 芳弘

  富士通研究所

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