低電圧FeRAM向け ビット線GNDセンス方式
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概要
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pMOSのチャージトランスファと負電圧を蓄えたキャパシタを用いて、ビット線電位をGNDに固定したままでプレート線を立ち上げる読み出し方式を提案する。この方式では従来より0.5V高い電圧をセルキャパシタにかけることができ、512セル/ビット線の場合従来より400mV多い読み出し信号を得られる。また階段状プレート線を考案し、8セルと8センスアンプを駆動することで消費電力はシミュレーションでは8.06mW@3V, 5MHzに押さえた。マクロ面積と消費電力は従来と同等である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-17
著者
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川嶋 将一郎
富士通研究所
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遠藤 徹
富士通株式会社
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川嶋 将一郎
富士通株式会社
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青木 正樹
富士通株式会社次世代テクニカルコンピューティング開発本部
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遠藤 徹
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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山本 彰
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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中林 謙一
富士通研究所 メモリデバイス研究部
-
中澤 光晴
富士通研究所 メモリデバイス研究部
-
森田 敬三
富士通研究所 メモリデバイス研究部
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青木 正樹
富士通研究所 メモリデバイス研究部
-
青木 正樹
富士通研究所
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