エンベデットFRAMの技術動向
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
現在、FRAMの市場では、ICカードとFRAM混載マイコンが主流である。ICカードでは、シングルアプリケーションICカードからマルチアプリケーションICカードへの移行が進み、より多くのメモリ容量が要求されている。メモリ容量を増やすには、セルサイズの縮小が必須となっており、設計,プロセス,材料の改善が精力的に進められている。さらに、LSIチップに混載されるFRAMは、周辺ロジック回路のテクノロジと同等に低電圧動作が要求されている。本報告では、今後のFRAM技術の動向、とくに、デザインルール,セルサイズ,セルキャパシタ構造,および新たなセンス方式を採用した、FRAMメモリの低電圧技術について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
関連論文
- 低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- FRAM低電圧センス技術 (特集1:FRAM)
- 低電圧FeRAM向け ビット線GNDセンス方式
- エンベデットFRAMの技術動向
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
- 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
- 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
- 「電子デバイス未来論 : 21 世紀の液晶・半導体はビジネスチャンス」, 川西剛著, 工業調査会, B6 判, 本体 1500 円