強誘電体キャパシタのプロセス劣化

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概要

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• 強誘電体メモリに用いられる(Pb, La)(Zr, Ti)O_3(PLZT)などの酸化物材料は還元雰囲気下で結晶欠陥を生じ, 強誘電体特性が劣化する.半導体プロセスでは, 層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれるほか, 絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し, キャパシタの特性劣化を招くことがわかった.これはデバイスの高集積化や, 多層配線を用いる上での問題となる.したがって, 水素の発生を防ぐプロセスとともに, キャパシタの耐還元性を改善する必要がある.還元による残留分極の減少はヒステリシスの電圧シフトによっており, インプリント特性と密接な関係がある.ゾルゲルPLZT膜を用いたキャパシタの場合, これらの特性は成膜条件による粒径制御, IrO_x電極の酸素アニールにより改善される.

• 2000-01-25

著者

• 芦田 裕

  富士通株式会社ulsi開発部

• 松浦 克好

  富士通 株式会社

• 高井 一章

  富士通 株式会社

• 大谷 成元

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 大谷 成元

  (株)富士通研究所

• 近藤 和昭

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 田村 哲朗

  (株)富士通研究所

• 高井 一章

  富士通株式会社ULSI開発部

• 松浦 克好

  富士通株式会社ULSI開発部

• 近藤 和昭

  (株)富士通研究所

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