走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(<特集テーマ>:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)

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概要

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• FeRAMは低電圧動作、高耐久性、低消費電力などの特長を有し、理想のメモリとして期待されている。今回、既存の走査型プローブ顕微鏡(SPM)を利用して、上部電極はSPMによりコンタクトをとり、下部電極はマニュアルプローブを用いて任意セルの電気特性を測定できる新評価システムを構築した。下部電極用パッドは、測定時の寄生容量が最小となるように工夫してFIBで作成した。コンタクトホール径が小さい場合はFIBで金属を埋め込んで測定する手法を開発した。これにより、これまで不可能であった単ビットキャパシタの測定が可能となった。工程途中でのキャパシタの劣化の解析や、デバイスの不良解析等に非常に有効な手段となった。

• 2001-12-13

著者

• 吉田 親子

  富士通研究所

• 大谷 成元

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 大谷 成元

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 吉田 親子

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 近藤 和昭

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

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