「電子デバイス未来論 : 21 世紀の液晶・半導体はビジネスチャンス」, 川西剛著, 工業調査会, B6 判, 本体 1500 円

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
• 1999-10-01

著者

• 大谷 成元

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 大谷 成元

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 大谷 成元

  (株)富士通研究所

関連論文

• エンベデットFRAMの技術動向
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたLSIの電気特性評価(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
• 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
• 強誘電体キャパシタのプロセス劣化
• 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)
• 「電子デバイス未来論 : 21 世紀の液晶・半導体はビジネスチャンス」, 川西剛著, 工業調査会, B6 判, 本体 1500 円

スポンサーリンク