強誘電体キャパシタのプロセス劣化

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概要

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• 強誘電体メモリに用いられる(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)などの材料は還元雰囲気下で容易に欠陥を生じ、残留分極が減少する。半導体プロセスでは、層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれる他、絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し、キャパシタの特性劣化を招くことがわかった。これはデバイスの高集積化や、多層配線を用いる上での問題となる。従って、水素の発生を防ぐプロセスとともに、キャパシタの耐還元性を改善する必要がある。還元による残留分極の減少はヒステリシスの電圧シフトにより、インプリント特性と密接な関係がある。ゾルゲルPLZT膜を用いたキャパシタの場合、これらの特性は成膜条件による粒径制御、IrO_x電極の酸素アニールにより改善される。

• 1999-02-15

著者

• 芦田 裕

  富士通株式会社ulsi開発部

• 松浦 克好

  富士通 株式会社

• 高井 一章

  富士通 株式会社

• 大谷 成元

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 近藤 和昭

  富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所

• 田村 哲朗

  (株)富士通研究所

• 田村 哲朗

  富士通(株) ULSI開発部

• 高井 一章

  富士通(株) ULSI開発部

• 松浦 克好

  富士通(株) ULSI開発部

• 芦田 裕

  富士通(株) ULSI開発部

• 近藤 和昭

  富士通(株) ULSI開発部

• 大谷 成元

  富士通(株) ULSI開発部

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