強誘電体キャパシタのプロセス劣化
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概要
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強誘電体メモリに用いられる(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)などの材料は還元雰囲気下で容易に欠陥を生じ、残留分極が減少する。半導体プロセスでは、層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれる他、絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し、キャパシタの特性劣化を招くことがわかった。これはデバイスの高集積化や、多層配線を用いる上での問題となる。従って、水素の発生を防ぐプロセスとともに、キャパシタの耐還元性を改善する必要がある。還元による残留分極の減少はヒステリシスの電圧シフトにより、インプリント特性と密接な関係がある。ゾルゲルPLZT膜を用いたキャパシタの場合、これらの特性は成膜条件による粒径制御、IrO_x電極の酸素アニールにより改善される。
- 1999-02-15
著者
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芦田 裕
富士通株式会社ulsi開発部
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松浦 克好
富士通 株式会社
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高井 一章
富士通 株式会社
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大谷 成元
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
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近藤 和昭
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
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田村 哲朗
(株)富士通研究所
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田村 哲朗
富士通(株) ULSI開発部
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高井 一章
富士通(株) ULSI開発部
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松浦 克好
富士通(株) ULSI開発部
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芦田 裕
富士通(株) ULSI開発部
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近藤 和昭
富士通(株) ULSI開発部
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大谷 成元
富士通(株) ULSI開発部
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