青木 正樹 | 富士通研究所 メモリデバイス研究部

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概要

• 同名の論文著者
• 富士通研究所 メモリデバイス研究部の論文著者

関連著者

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 青木 正樹

  富士通研究所

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 杉山 芳弘

  富士通研究所

• 能代 英之

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 佐藤 雅重

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 木下 健太郎

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 杉山 芳弘

  富士通株式会社

• 川嶋 将一郎

  富士通研究所

• 遠藤 徹

  富士通株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 川嶋 将一郎

  富士通株式会社

• 吉田 親子

  富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社次世代テクニカルコンピューティング開発本部

• 遠藤 徹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 山本 彰

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 中林 謙一

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 中澤 光晴

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 森田 敬三

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 矢垣 真也

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 吉田 親子

  富士通研

• 吉田 親子

  富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

• 佐藤 嘉洋

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 吉田 親子

  (株)富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青木 正樹

  富士通研

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著作論文

• 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
• 低電圧FeRAM向け ビット線GNDセンス方式
• 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案

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