浅いソース・ドレイン接合をもつ微細pMOSFETの特性
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概要
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ボロンの固相拡散を用いて作製したゲート長0.1μmレベルの微細pMOSFETにおいて、ソース・ドレインエクステンションの接合深さがその特性に与える影響を調べた。精密に実行チャンネル長を評価した結果、短チャンネル効果によるしきい値のロールオフは実効チャンネル長のみで決まり、接合の深さには依存しないことがわかった。接合を浅くすることで、短チャンネル効果の改善がないため、寄生抵抗の増大が電流駆動能力を落とし、微細MOSFETの性能が損なわれる可能性があることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-24
著者
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