[パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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ゲート酸化膜の薄膜化に伴うゲートリーク電流の増大が大きな問題になっている。このゲートリーク問題は、いつ、どの程度の問題になり、誰が解くべきかを回路技術者とデバイス技術者とで議論する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
若林 整
NEC
-
若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
-
若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
黒田 忠広
慶応大学
-
小林 胤雄
東芝セミコンダクター社
-
野瀬 浩二
Nec
-
杉井 寿博
富士通
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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