デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
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概要
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低エネルギーデカボランイオン注入における損傷の形成とその増速拡散への影響について検討をおこなった。デカボランの注入エネルギーの低下に伴い、増速拡散は抑制される。また、3keVのデカボランイオン注入においてドーズ量1×10^14〜10^15atoms/cm^2の範囲では、基板表面近傍にアモルファス層が形成されているために、拡散距離は注入ドーズ量に依存しないことが明らかとなった。さらに、デカボランイオン注入においては、実効注入エネルギーの等しい単原子ボロンよりも多くの損傷を形成できることが分かった。約65%の注入効率が得られることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
瀬木 利夫
京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻
-
青木 学聡
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
草場 拓也
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
-
瀬木 利夫
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
-
青木 学聡
京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設
-
加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
-
後藤 賢一
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
加勢 正隆
富士通株式会社
-
加瀬 正隆
富士通
-
山田 公
京大
-
青木 学聡
クラスターイオンビーム集中研究体
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
-
山田 公
京都大学
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