ガスクラスターイオンビームによるSiC表面平坦化
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概要
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X線リソグラフィ用マスクのメンブレン材料として期待されているSiCやダイヤモンド薄膜に,Arクラスターイオンビームを照射し,表面平坦化効果を検討した.Arクラスターイオン照射により,SiC,ダイヤモンド薄膜とも平均粗さが照射前に比べ大幅に改善され, ドーズ増加に伴う表面の荒れも見られない.また,入射角が大きくなるにしたがい,表面粗さは大きくなる.すなわち垂直入射時が最も平坦化効果が大きいことが分かった.クラスターの原料ガスに反応性のSF_6を用いることにより,SiやSiCのスパッタ率はArクラスターイオンに比べて一桁以上大きくなる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
-
松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
豊田 紀章
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
木谷 博昭
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
山田 公
京大
-
山田 公
京都大学
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