200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
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概要
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次世代高集積デバイスの実現には0.1μm以下の浅い接合形成技術が重要な課題となっている。本研究では、200kV加速装置を有するガスソースクラスターイオンビーム注入装置を開発しSi表面にArガスクラスターを注入した。ガスクラター注入による欠陥層の深さ分布をRBSを用いて調べ、100から200Åに分布していることが分かった。また、分子動力学シミュレーションを行ってガスクラスター照射の特徴について調べ、多体衝突効果などのクラスターイオンの特有の効果によって欠陥が深くまで分布することを明らかにした。弱いファンデルワールス力で結合したガスクラスターイオンを用いることにより、浅い注入層の形成が可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
豊田 紀章
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
竹内 大輔
京都大学工学部付属イオンエ学実験施設
-
高岡 義寛
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
山田 公
京大
-
北井 敦
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
山田 公
京都大学
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