1) 誘電体を装荷した進行波偏向系の解析(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1969-02-01
著者
関連論文
- マルチビーム薄膜形成装置の開発
- イオンビーム技術の過去・現在・未来
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察
- クラスターイオン注入とデバイスプロセス
- ガスクラスタイオンビームの生成と応用
- ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング
- ガスクラスターイオンビームプロセッシング
- ガスクラスタ-イオンビ-ムによる固体表面プロセス
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性)
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロララスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームによるSiC表面平坦化
- ガスクラスターイオンビーム:その生成と応用
- ガスクラスターイオンビームによるナノスケール表面プロセス
- 50 keVでリンイオンを注入した放射線治療用シリカガラスの性質
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 31p-PSB-6 クラスターイオンの表面散乱
- クラスタ-イオンビ-ム法による分子性薄膜の作成
- クラスタイオンビ-ム成膜技術 (「電子材料のための成膜技術」特集号)
- クラスタイオンビームエピタキシによるSi薄膜の特性 : 結晶評価
- 新しい薄膜形成技術 (光学材料を中心とした設計,および加工の問題)
- クラスタイオンビ-ム蒸着と結晶成長
- クラスタ・イオンビ-ム蒸着法 (最近のZnO膜作成技術(技術ノ-ト))
- 1)ヘリックスを主体とした進行波偏向系の一考察(III)(第31回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)ヘリックスを主体とした進行波偏向系の一考察(II)(第27回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 2) 進行波偏向系の偏向特性に関する一解析法(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1) 誘電体を装荷した進行波偏向系の解析(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 2)進行波偏向系の一解析法(第8回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 多元クラスタイオンビーム法によるMnBi薄膜の作成 : 結晶評価
- 光磁気記憶用Gd_3Fe_5O_単結晶薄膜の作成とその特性 : エピタキシー(LPE)
- ポリアトミッククラスターイオン注入による浅い接合形成
- 200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
- イオンビームを援用した交互蒸着重合法によるポリイミド薄膜の分子配向制御
- ガスクラスターイオンビームによるナノスケール表面プロセス
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 銀イオンを注入したSiO_2フィラーの抗菌性
- ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用
- ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
- 4V14 混合液晶の電気熱光学効果における抵抗率依存性
- 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
- 3B20 液晶の電気熱光学効果とディスプレイへの応用
- 18-10 液晶の電気熱光学効果によるディスプレイ
- 18-9 液晶の電気熱光学効果
- 画像表示における材料
- 液晶による画像大形ディスプレイ
- クラスタイオンビーム加工技術(エネルギービーム加工の現状と将来)
- 大学における教育と研究の問題点 (21世紀への応用物理) -- (教育と研究の現状)
- 大学・企業間の分業と協同 (研究者教育) -- (大学と企業間の協力)
- クラスタ-イオンビ-ム技術とその応用
- イオンビ-ムを用いた薄膜形成技術と将来の展望
- 蒸着膜形成・結晶成長技術としてのイオンビ-ムテクノロジ- (荷電ビ-ム--イオンビ-ムとその応用) -- (イオンビ-ムテクノロジ-への期待と展望)
- 概論 (微細加工のためのイオン源(技術ノ-ト))
- 蒸着・注入併用法 (イオン加工技術(技術ノート))
- イオン化プレーティング (イオン加工技術(技術ノート))
- 装置のあり方 (装置特集) -- (談話室)
- イオン源(最近の展望)
- 反応性クラスタイオンビーム法によるZnO薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発
- 負イオン源 (イオン応用特集)
- 重イオン源の進歩と応用
- クラスタイオンビ-ム蒸着法によるInSbおよびGaAs薄膜の作製
- イオンビ-ム法による薄膜形成 (生体膜と高分子膜--薄層に秘める高次機能)
- イオン工学的手法による高機能薄膜形成・結晶成長に関する現況
- クラスタ-イオンビ-ム蒸着と結晶成長
- イオンビームの最近の進歩とその応用
- 7-部門講演 マイクロ波能動素子について
- クラスタ-イオンビ-ム法による薄膜形成と結晶性におよぼすイオンの効果 (薄膜の形成と構造) -- (無機薄膜)
- クラスタ-イオンビ-ム膜 (有機薄膜--エレクトロニクスへの道)
- 可とうソレノイドコイルによる荷電ビ-ムの集束偏向特性
- サマリー・アブストラクト
- クラスタ-イオンビ-ムによる表面プロセス (マイクロクラスタ-科学の新展開) -- (クラスタ-の反応)
- イオンビームの半世紀をみる
- 負イオン源
- クラスタイオンビーム蒸着法によるInSbおよびGaAs薄膜の作製
- ガスクラスタ-イオンビ-ムによる材料創製--巨大原子集団からなるイオンビ-ム発生装置と表面プロセス技術
- 反応性クラスターイオンビームによるエッチング
- 29p-PSB-30 クラスターイオンによるスパッタリング
- ガスクラスタ-イオンビ-ム技術
- イオンビ-ム,物質革命物語-2-イオンビ-ム装置の展開
- イオンビ-ム,物質革命物語-4-夢の新材料を求めて,表面高機能化技術
- イオンビ-ム,物質革命物語-3-イオン注入の潜在能力を引き出せ
- 現代の錬金術「イオンビ-ム,物質革命物語」-5-イオンビ-ム技術のゆくえ
- 光技術のフロンティア--京都大学工学部付属イオン工学実験施設
- イオンビ-ムによる材料創製 (新錬金術) -- (材料創製編)
- クラスタ-イオンビ-ム (重粒子ビ-ム発生・利用技術(技術ノ-ト))
- クラスターイオンビーム膜