ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
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概要
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Si基板上にICBを用いてAl, Al_2O_3/Al積層構造を作成した。15keV RHEED像によって指数付けをした結果、エピタキシャルAl/Al_2O_3/Al構造を得、電流電圧特性の結果と合わせ、Al/Al_2O_3積層構造による共鳴トンネルダイオード(RTD)形成の可能性を示した。一方、Transfer Matrix Methodを用いてAl/Al_2O_3積層構造からなる3重障壁RTDの電流電圧特性の数値計算を行った。その結果、共鳴電圧1.23V、ピークバレー比約100を得た。また、障壁層厚を変えたとき、共鳴電圧はほとんど変化しないが、ピーク電流は障壁層厚が薄いほど大きくなり、ピークバレー比は障壁層厚が薄くなると小さくなることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
高岡 義寛
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
山田 公
京大
-
平井 信充
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
石田 昌宏
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
明渡 邦夫
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
山田 公
京都大学
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