ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化
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概要
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半導体デバイスの微細化・多様化に伴い、より高機能の微細加工プロセスが必要とされている。原子・分子の集合体であるクラスターを用いたクラスターイオンビーム技術は固体表面との衝突時に多体衝突効果を生じることから、スパッタリングや薄膜形成において従来の単原子イオンビームとは異なる照射効果が得られる。今回、クラスターイオンビームプロセスの産業分野への導入を検討するため、大電流ガスクラスターイオンビーム照射装置の開発を行った。また、種々の半導体材料の平坦化および高品質透明導電膜の形成行い、クラスターイオン照射による高機能材料の創製について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
瀬木 利夫
京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
瀬木 利夫
京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻
-
松尾 二郎
京都大学大学院工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
金原 啓道
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
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