多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
n-オクタンから生成したC_3H^+_7およびC_6H^+_<13>多原子分子イオンをCH_2当り1kevでSi(100)基板に照射し,基板表面の化学状態をXPSにて評価した.その結果,照射量の増加と共に表面近傍に形成される炭化物堆積層厚が増加し,1×10^<16> carbons/cm^2 のC_3H^+_7照射で約9.5nm, 1×10^<16> carbons/cm^2のC_6H^+_<13>照射にて約23nmであることがわかった.イオン種による炭化物層厚の違いは,ファンデルワールス力の差異に起因していると考えられる.炭化物堆積層を除いたSiCの分布深さは重いC_6H^+_<13>の方が深くなる傾向であリ,その原因については更に検討が必要であることがわかった.
- 2010-12-10
著者
-
龍頭 啓充
京都大学工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
竹内 光明
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
-
龍頭 啓充
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
関連論文
- 酸素クラスターイオンビームを照射した高分子基板上へのアパタイト形成(周期空間と相互作用する新しいセラミックスのマテリアルデザインとプロセッシング)
- 酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によるSi基板上への光触媒TiO_2薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 液体クラスターイオンビームによるSi基板表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工(シリコン関連材料の作製と評価)
- ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化
- 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 (シリコン材料・デバイス)
- エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション
- 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン液体BMIM-PF_6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質(シリコン関連材料の作製と評価)
- 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)