直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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n-テトラデカンから生成した多原子分子イオンC_3H^+_7,C_6H^+_13及びC_12H^+_25をSi基板に照射し,Si基板の堆積とスパッタリングを表面段差測定で,表面炭素の化学状態をラマン分光測定で,Si基板の損傷量と基板表面及び内部の炭素量をRBS測定により評価した.多原子分子イオンの照射イオン種により照射効果に違いが見られた.表面段差測定では,C_3H^+_7,C_6H^+_13は堆積,C_12H^+_25はスパッタリングとなり,ラマンスペクトルでは,照射基板にはダイヤモンドライクカーボン(DLC)のスペクトルを確認した.分子量の大きなC_12H^+_25ではDLCなど炭素系被膜は形成されにくく,Si基板のスパッタリングや炭素の注入が生じていることを明らかにした.
- 2012-11-30
著者
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龍頭 啓充
京都大学工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
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高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
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竹内 光明
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
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高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
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龍頭 啓充
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
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今中 浩輔
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
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