分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション
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概要
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反応性イオンエッチングにおいてイオン照射が果たす役割を解明するため, FイオンをSi表面に連続的に照射する分子動力学シミュレーションを行った.Fイオンの照射に伴い基板表面にSi原子とF原子の混合層が形成され, 一部がフッ化シリコン(Si_xF_y)として脱離した.平衡状態における基板表面やエッチング生成物が照射エネルギーの違いにより異なることが示され, 反応性イオンエッチングにおけるイオン照射の役割が明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
青木 学聡
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
松尾 二郎
京都大学大学院工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
青木 学聡
クラスターイオンビーム集中研究体
-
千葉 俊一
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
千葉 俊一
京都大学大学院工学研究科
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