29p-PSB-30 クラスターイオンによるスパッタリング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
山田 公
京都大学工学部附属イオン工学実験施設
-
松尾 二郎
京大 イオン工学
-
山田 公
京大 イオン工学
-
山田 公
京大
-
山田 公
京都大学
関連論文
- クラスタイオンビームによる平坦化加工技術
- マルチビーム薄膜形成装置の開発
- イオンビーム技術の過去・現在・未来
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察
- クラスターイオン注入とデバイスプロセス
- ガスクラスタイオンビームの生成と応用
- ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング
- ガスクラスターイオンビームプロセッシング
- ガスクラスタ-イオンビ-ムによる固体表面プロセス
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性)
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロララスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームによるSiC表面平坦化
- ガスクラスターイオンビーム:その生成と応用
- ガスクラスターイオンビームによるナノスケール表面プロセス
- 50 keVでリンイオンを注入した放射線治療用シリカガラスの性質
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 31p-PSB-6 クラスターイオンの表面散乱
- クラスターイオンビームによる医用材料の表面改質 (特集 生命機能と材料--生命機能マテリアル/生命現象マテリアル) -- (侵しゅうの低い医療を目指して--物理機能系材料の創出)
- 擬似体液を用いた人工材料へのアパタイトコーティング (特集 生体セラミックスのコーティング技術)
- 酸素クラスターイオンビームを照射した高分子基板上へのアパタイト形成(周期空間と相互作用する新しいセラミックスのマテリアルデザインとプロセッシング)
- 酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によるSi基板上への光触媒TiO_2薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 液体クラスターイオンビームによるSi基板表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 23aRB-2 巨大Arクラスター衝突によりSiから生成される二次イオンにおける入射速度効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 19aXJ-4 サイズ選別されたクラスターイオン照射における二次イオン収率測定(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-7 サイズ選別されたクラスターイオンにより生成される二次イオンの測定(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-6 スパッタリングにおけるイオン化確率の入射クラスターイオン種依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 高速重イオンを利用したイメージング質量分析
- 24aRB-2 高分解能イメージング質量分析へ向けたイオン入射条件の探索(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- クラスターイオンの新しい展開--ナノプロセスから先端分析応用
- 19aXJ-5 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出III(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-8 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出II(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pTA-9 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出(28pTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-9 MeV重イオン衝撃スパッタリングによる励起状態分子放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-5 巨大ガスクラスターイオン衝突による半導体材料からの二次イオン放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-9 高速イオン衝撃スパッタリングによる中性粒子の収量及び放出エネルギー測定(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-8 固体からの高速イオン衝撃誘起正負クラスターイオンのサイズ分布から見る放出機構解明(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-6 複数の方法で測定した全スパッタリング収率の比較(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aTG-6 MeV 重イオン照射により固体から放出された中性粒子の運動エネルギー分布測定(放射線物理, 領域 1)
- 12aTG-5 MeV エネルギー領域での絶縁体及び金属の全スパッタリング収率測定(放射線物理, 領域 1)
- 1)ヘリックスを主体とした進行波偏向系の一考察(III)(第31回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)ヘリックスを主体とした進行波偏向系の一考察(II)(第27回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 2) 進行波偏向系の偏向特性に関する一解析法(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1) 誘電体を装荷した進行波偏向系の解析(第12回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 2)進行波偏向系の一解析法(第8回テレビジョン電子装置研究委員会)
- ポリアトミッククラスターイオン注入による浅い接合形成
- 200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
- イオンビームを援用した交互蒸着重合法によるポリイミド薄膜の分子配向制御
- ガスクラスターイオンビームによるナノスケール表面プロセス
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 銀イオンを注入したSiO_2フィラーの抗菌性
- ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用
- ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
- 29p-PSA-5 クラスターイオン衝突による格子欠陥
- 1)超広帯域観測用ブラウン管 : 電子管委資料第270号(第84回テレビジョン用電子管研究委員会 : 41.1.27,NHK青山荘)
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- 4)クラスタイオンビーム技術とその応用(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- 1)ヘリックスを主体とした大進行波偏向系の一考察(第23回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用 (小特集 イオン技術の新しい発展)
- ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化
- レーザ誘起昇温脱離法(LITD)によるプラズマエッチング中の試料表面の評価
- 低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
- 分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発
- イオン工学的手法による高機能薄膜形成・結晶成長に関する現況
- サマリー・アブストラクト
- クラスタ-イオンビ-ムによる表面プロセス (マイクロクラスタ-科学の新展開) -- (クラスタ-の反応)
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展
- イオンビームの半世紀をみる
- クラスタイオンビーム蒸着法によるInSbおよびGaAs薄膜の作製
- ガスクラスタ-イオンビ-ムによる材料創製--巨大原子集団からなるイオンビ-ム発生装置と表面プロセス技術
- 反応性クラスターイオンビームによるエッチング
- 29p-PSB-30 クラスターイオンによるスパッタリング
- ガスクラスタ-イオンビ-ム技術
- イオンビ-ム,物質革命物語-2-イオンビ-ム装置の展開
- イオンビ-ム,物質革命物語-4-夢の新材料を求めて,表面高機能化技術
- イオンビ-ム,物質革命物語-3-イオン注入の潜在能力を引き出せ
- 現代の錬金術「イオンビ-ム,物質革命物語」-5-イオンビ-ム技術のゆくえ
- 光技術のフロンティア--京都大学工学部付属イオン工学実験施設
- イオンビ-ムによる材料創製 (新錬金術) -- (材料創製編)
- クラスタ-イオンビ-ム (重粒子ビ-ム発生・利用技術(技術ノ-ト))
- クラスターイオンビームによる先端加工プロセス (特集 最近のオプトメカトロニクス用材料の加工・洗浄技術を追う)
- 薄膜形成技術とその応用 (イオン工学--新物質創成・高機能素子開発を目指して)
- イオンビ-ムによる薄膜形成 (イオンビ-ムの応用)
- イオン工学的薄膜形成技術 (イオン技術)
- イオンの効果を利用したデポジション (半導体ビ-ムプロセス技術) -- (デポジション)
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用
- クラスタ-イオンビ-ム(ICB)技術による光学薄膜材料創製 (光源材料--表面・界面特性)