低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
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概要
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次世代以降の微小CMOSデバイスの作製には,エネルギーが数百eVという低エネルギーイオン注入が必要となる.しかしながら,入射エネルギーの低下によりイオンの注入レンジが低下すると,入射イオン種の表面への析出やセルフスパッタリング等が生じ,実効的なイオンドーズ量の低下や,ドーズ量の制御が困難になるといわれている.今回,入射イオンの蓄積・脱離過程を調べるために,ホウ素イオンを連続的にシリコン表面に注入する分子動力学シミュレーションを行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
青木 学聡
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
-
高岡 義寛
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
Aoki Takaaki
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
青木 学聡
クラスターイオンビーム集中研究体
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