エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
シリコン表面の低損傷・高効率スパッタリングの実現可能性を探るために,シリコン表面へのエタノールクラスターイオンビームの照射効果について調査した.クラスターサイズの制御は減速電界法を用いて行った.エタノールクラスターイオンビームを照射した際のSi基板表面のスパッタ深さは,SiO_2基板表面のスパッタ深さに比べて大きかった.これはエタノールクラスターイオンビームによるSi基板表面に対する化学的スパッタリング効果に起因するものだと考えられる.減速電圧の増加とともにエタノールクラスターイオンビーム照射後のSi基板表面の表面粗さが減少した.また,同様に減速電圧の増加とともに加速電圧3kVにおけるエタノールクラスターイオンビーム照射によるSi基板中の変位原子数が減少した.一方,加速電圧約6kV以上ではエタノールクラスターイオンビーム照射によるSi基板中の変位原子数が加速電圧及び減速電圧に対して飽和傾向を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-28
著者
-
龍頭 啓充
京都大学工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
-
高岡 義寛
京都大学工学部イオン工学実験施設
-
尾崎 良介
京都大学工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属光・電子理工学教育研究センター
関連論文
- 50 keVでリンイオンを注入した放射線治療用シリカガラスの性質
- 200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
- ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用
- ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
- エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 (シリコン材料・デバイス)
- エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発
- 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- イオン液体BMIM-PF_6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質(シリコン関連材料の作製と評価)
- 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)