酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によるSi基板上への光触媒TiO_2薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によりSi(100)基板上に二酸化チタン(TiO_2)薄膜を形成させた。基板温度200℃以下で作製したTiO_2薄膜は非晶質であったが、基板温度300℃で作製したTiO_2薄膜はルチルとアナターゼを含んでいた。TiO_2薄膜の屈折率は、基板温度が上昇するにつれ増大し、同薄膜の表面は、原子レベルで平坦であった。基板温度300℃で作製したTiO_2薄膜は、紫外線照射により、ルチル(100)基板と同等の高い光触媒分解性を示した。同薄膜の接触角は、30分間の紫外線照射により75°から10°まで低下したが、ルチル(100)のそれは紫外線照射後も変化しなかった。TiO_2薄膜中のアナターゼが同薄膜の光触媒分解性と光触媒親水性に寄与していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
松尾 二郎
京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター
-
川下 将一
京都大学大学院光学研究科附属イオン工学実験施設
-
高岡 義寛
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
寺田 尚史
京都大学大学院工学研究科附属イオン工学実験施設
-
川下 将一
東北大 大学院医工学研究科
関連論文
- クラスタイオンビームによる平坦化加工技術
- マルチビーム薄膜形成装置の開発
- デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
- イオン衝突によるシリコン表面欠陥の高温STM観察
- クラスターイオン注入とデバイスプロセス
- ガスクラスタイオンビームの生成と応用
- ガスクラスターイオンビームによる表面エッチング
- ガスクラスターイオンビームプロセッシング
- ガスクラスタ-イオンビ-ムによる固体表面プロセス
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性)
- クラスターイオンの非線形効果(原子核とマイクロララスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 分子動力学法によるホウ素クラスターイオン注入のシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームによるSiC表面平坦化
- 50 keVでリンイオンを注入した放射線治療用シリカガラスの性質
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- 31p-PSB-6 クラスターイオンの表面散乱
- 医用ベクトルセラミック微小球 (特集 ベクトル材料科学(その2))
- シリコーン中でのアナタースの析出と得られた複合体の生体活性
- がん温熱治療用亜鉛-鉄フェライト含有強磁性結晶化ガラスの作製
- 擬似体液中におけるアルギン酸カルシウム繊維へのアパタイト形成
- 低侵襲局所がん治療用セラミック微小球
- 放射性べクトルセラミックス : 癌を治療する放射性あるいは強磁性セラミック微小球
- ゾル-ゲル法によるPTMO修飾CaO-TiO_2ハイブリッドの調製 : ハイブリッドのアパタイト形成能と力学的性質
- 関節・骨修復用セラミックスの新展開
- 深部がん局所温熱治療のための強磁性微小球 (特集1 磁場とガラス)
- 放射性微小球による深部癌局所治療(近未来の技術)
- シランカップリング剤及びチタニア溶液で処理したエチレン-ビニルアルコール共重合体上での骨類似アパタイト形成
- 第23回 日本バイオマテリアル学会大会に参加して
- 解説 骨修復用アパタイト--有機高分子複合体
- クラスターイオンビームによる医用材料の表面改質 (特集 生命機能と材料--生命機能マテリアル/生命現象マテリアル) -- (侵しゅうの低い医療を目指して--物理機能系材料の創出)
- 擬似体液を用いた人工材料へのアパタイトコーティング (特集 生体セラミックスのコーティング技術)
- 酸素クラスターイオンビームを照射した高分子基板上へのアパタイト形成(周期空間と相互作用する新しいセラミックスのマテリアルデザインとプロセッシング)
- 酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法によるSi基板上への光触媒TiO_2薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 液体クラスターイオンビームによるSi基板表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 23aRB-2 巨大Arクラスター衝突によりSiから生成される二次イオンにおける入射速度効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 19aXJ-4 サイズ選別されたクラスターイオン照射における二次イオン収率測定(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-7 サイズ選別されたクラスターイオンにより生成される二次イオンの測定(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-6 スパッタリングにおけるイオン化確率の入射クラスターイオン種依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 高速重イオンを利用したイメージング質量分析
- 24aRB-2 高分解能イメージング質量分析へ向けたイオン入射条件の探索(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- クラスターイオンの新しい展開--ナノプロセスから先端分析応用
- 19aXJ-5 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出III(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-8 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出II(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pTA-9 イオン照射による生体高分子薄膜からの二次イオン放出(28pTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-9 MeV重イオン衝撃スパッタリングによる励起状態分子放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-5 巨大ガスクラスターイオン衝突による半導体材料からの二次イオン放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-9 高速イオン衝撃スパッタリングによる中性粒子の収量及び放出エネルギー測定(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-8 固体からの高速イオン衝撃誘起正負クラスターイオンのサイズ分布から見る放出機構解明(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-6 複数の方法で測定した全スパッタリング収率の比較(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aTG-6 MeV 重イオン照射により固体から放出された中性粒子の運動エネルギー分布測定(放射線物理, 領域 1)
- 12aTG-5 MeV エネルギー領域での絶縁体及び金属の全スパッタリング収率測定(放射線物理, 領域 1)
- ポリアトミッククラスターイオン注入による浅い接合形成
- 200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用
- ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- 癌を治療するニュ-ガラス
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用 (小特集 イオン技術の新しい発展)
- ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化
- レーザ誘起昇温脱離法(LITD)によるプラズマエッチング中の試料表面の評価
- 癌を治療する材料 (特集 生体組織を作るための新素材--材料が支える医学のルネッサンス)
- 病を癒すセラミックス--その可能性 (特集 これからの化学技術を読む)
- イオン注入技術を利用したがんの新しい放射線治療法
- 病を癒すセラミックス-現状と展望
- 制御雰囲気中における癌温熱治療用マグネタイト含有結晶化ガラスの作製
- 低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
- 分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発
- イオン工学的手法による高機能薄膜形成・結晶成長に関する現況
- バイオミメティック法における基板上へのアパタイト形成に及ぼす溶液の影響
- がん治療用セラミックス (特集 セラミックス生体材料の展望)
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展
- 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 反応性クラスターイオンビームによるエッチング
- 29p-PSB-30 クラスターイオンによるスパッタリング
- クラスターイオンビームによる先端加工プロセス (特集 最近のオプトメカトロニクス用材料の加工・洗浄技術を追う)
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用
- クラスタ-イオンビ-ム(ICB)技術による光学薄膜材料創製 (光源材料--表面・界面特性)
- イオン液体BMIM-PF_6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質(シリコン関連材料の作製と評価)
- 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)