Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作
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概要
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TiNをゲート電極に用いたTa_2O_5/SiO_2ゲート絶縁膜を有するnMOSFETを試作した。Ta_2O_5とSi基板の間に挿入した中間SiO_2層はケミカルオキサイドをN_2中でアニールして形成し、これが、界面の還元反応を抑制すると同時にGmや信頼性などのデバイス特性も改善する事を示した。また、そのケミカルオキサイドは800℃以上でアニールする必要がある事も示した。更に、TiNメタルゲートによってゲートの空乏化を除去する事により、実効的なゲート容量が改善される事を示した。これらの技術によって、ゲート長0.35μm、換算膜厚2.8nmのデバイスで、0.74mA/μmのドレイン電流と76mV/decandeのSを得、この材料系がポリシリコン電極、SiO_2ゲート絶縁膜を用いる今日のMOSFETのスケーリング限界を打破するポテンシャルを持つ事を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
籾山 陽一
富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通研究所
-
南方 浩志
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
-
籾山 陽一
富士通(株)
-
南方 浩志
富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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