Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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本論文は45nmノード向けゲート長30nmの超微細バルクCMOSデバイスに関する。我々はΣ型SiGe-SD構造によってSCE(短チャネル効果)を抑制しつつ高い飽和電流を得ることに成功した。Σ型リセス形状でホール移動度の向上を、SW下のスリットにボロンをドープしたSiGeを埋め込むことでソース・ドレイン・エクステンション寄生抵抗の低減をそれぞれ達成した。他にPMOSのみのゲート高さを低くすることによってCESL(コンタクトエッチストップ層)の引っ張りストレスの影響を小さくする方法、活性領域と素子分離領域の境を保護する為にCap-STI蓋シャロートレンチ素子分離)を開発した。性能としてはV_d=1.0 V/Ioff=100 nA/μmにおいてnMOSFET、pMOSFETでゲート長30nmのもので937/490μA/μm、ゲート長33nmのもので1000/545μA/μmが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
児島 学
富士通
-
小倉 寿典
富士通(株)
-
金 永ソク
(株)富士通研究所
-
島宗 洋介
(株)富士通研究所
-
片上 朗
(株)富士通研究所
-
佐久間 崇
(株)富士通研究所
-
早見 由香
(株)富士通研究所
-
森岡 博
富士通(株)
-
橋本 浩一
富士通(株)
-
大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
金永 ソク
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
島宗 洋介
富士通研究所
-
佐久間 崇
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
畑田 明良
富士通研究所
-
片上 朗
富士通研究所
-
添田 武志
富士通研究所
-
川村 和郎
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
森岡 博
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
渡邉 崇史
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
王 純志
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
早見 由香
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
小倉 寿典
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
森 年史
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所
-
児島 学
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
橋本 浩一
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
-
金永 ソク
(株)富士通研究所
-
田島 貢
富士通株式会社
-
森 年史
富士通株式会社
-
森岡 博
富士通株式会社
-
田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
畑田 明良
富士通
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