大田 裕之 | 富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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概要
関連著者
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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児島 学
富士通
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森岡 博
富士通(株)
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橋本 浩一
富士通(株)
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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田島 貢
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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小倉 輝
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田村 直義
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通(株)
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畑田 明良
富士通
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小倉 寿典
富士通(株)
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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片上 朗
(株)富士通研究所
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佐久間 崇
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通(株)
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大田 裕之
富士通、あきる野テクノロジセンター
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田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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畑田 明良
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
-
金永 ソク
富士通、あきる野テクノロジセンター
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島宗 洋介
富士通研究所
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佐久間 崇
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
畑田 明良
富士通研究所
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片上 朗
富士通研究所
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添田 武志
富士通研究所
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川村 和郎
富士通、あきる野テクノロジセンター
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森岡 博
富士通、あきる野テクノロジセンター
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渡邉 崇史
富士通、あきる野テクノロジセンター
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王 純志
富士通、あきる野テクノロジセンター
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早見 由香
富士通、あきる野テクノロジセンター
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小倉 寿典
富士通、あきる野テクノロジセンター
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森 年史
富士通、あきる野テクノロジセンター
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児島 学
富士通、あきる野テクノロジセンター
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橋本 浩一
富士通、あきる野テクノロジセンター
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助川 和雄
富士通株式会社
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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保坂 公彦
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通研究所
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加勢 正隆
富士通株式会社
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ピディン S.
富士通
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稲垣 聡
富士通
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堀 充明
富士通
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大田 裕之
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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籾山 陽一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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小倉 輝
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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稲垣 聡
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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田村 直義
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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杉井 寿博
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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加瀬 正隆
富士通
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田川 幸雄
富士通株式会社
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福田 真大
富士通(株)
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川村 和郎
富士通(株)
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大田 裕之
(株)富士通研究所
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南 孝宜
富士通(株)
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田村 直義
(株)富士通研究所
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児島 学
富士通(株)
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宮嶋 基守
富士通(株)
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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橋本 浩一
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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大越 克明
富士通株式会社
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福田 真大
富士通株式会社
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助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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田川 幸雄
富士通
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田川 幸雄
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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橋本 浩一
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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児島 学
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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橋本 浩一
富士通
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加勢 正隆
富士通
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杉井 寿博
富士通
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岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
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大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
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後藤 賢一
富士通
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田村 直義
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
- Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)