川村 和郎 | 富士通(株)
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概要
関連著者
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川村 和郎
富士通(株)
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津田 健治
東北大多元研
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寺内 正己
東北大多元研
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Tsuda Kenji
Fujitsu Ltd.
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Tsuda K
Tohoku Univ. Sendai
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寺内 正己
東北大学多元物質科学研究所
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三ッ石 創
東北大多元研
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寺内 正巳
東北大学
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津田 健治
東北大学多元物質科学研究所
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川村 和郎
富士通研究所
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三ッ石 創
東北大学多元研
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児島 学
富士通
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小倉 寿典
富士通(株)
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金 永ソク
(株)富士通研究所
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島宗 洋介
(株)富士通研究所
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福田 真大
富士通(株)
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片上 朗
(株)富士通研究所
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畑田 明良
富士通(株)
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大田 裕之
(株)富士通研究所
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佐久間 崇
(株)富士通研究所
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早見 由香
(株)富士通研究所
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森岡 博
富士通(株)
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南 孝宜
富士通(株)
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田村 直義
(株)富士通研究所
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森 年史
富士通(株)
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児島 学
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
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橋本 浩一
富士通(株)
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宮嶋 基守
富士通(株)
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佐藤 成生
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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河村 和郎
富士通
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助川 和雄
富士通株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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金永 ソク
(株)富士通研究所
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福田 真大
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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森岡 博
富士通株式会社
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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畑田 明良
富士通
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
著作論文
- プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
- 28pYA-9 不純物注入Siから得た収束電子回折図形の定量解析II(28pYA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-12 不純物注入Siから得た収束電子回折図形の定量解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYS-4 Si中Asドープ領域から得た収束電子回折図形の定量解析III(X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 13pTJ-5 Si 中 As ドープ領域から得た収束電子回折図形の定量解析 II(電子線, 領域 10)
- 28pXM-3 Si中Asドープ領域から得た収束電子回折図形の定量解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-1 統計的動力学理論の電子回折への適用II(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22pXB-9 電子顕微鏡による Si 中 As 注入領域の観察法の検討 II
- 22aXB-3 統計的動力学理論の電子回折への適用