保坂 公彦 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通(株)
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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保坂 公彦
富士通研究所
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堀 陽子
富士通クオリティ・ラボ株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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福留 秀暢
富士通研究所
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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籾山 陽一
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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芝原 健太郎
広大
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
富士通研究所
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)