吉永 博路 | 広島大学大学院先端物質科学研究科
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概要
関連著者
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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広島大学大学院
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森 大樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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芝原 健太郎
広大
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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保坂 公彦
富士通研究所
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
富士通研究所
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和