イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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酸素あるいは窒素を注入で導入することにより、SiGe/Siヘテロ格子系の転位の易動度の低下および運動の活性化エネルギーの増加が観測された。これの現象は、注入により発生した点欠陥クラスターが転位の運動を阻害することにより説明される。さらに、圧痕から発生する転位の密度が減少することが確認された。この現象は酸素あるいは窒素が転位ソースを固着することにより生じる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
田村 直義
(株)富士通研究所
-
中村 友二
富士通研究所
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
原 明人
東北学院大学理工学部
-
原 明人
東北学院大学工学部
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