化学増幅型レジストにおける寸法変動要因の検討
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概要
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KrFエキシマ露光対応の化学増幅型レジストとしては、単色レンズ系露光機の光源狭帯域化により照度が低下するため高感度が要求され、またパターン微細化や合わせ余裕確保から高解像度が要求されている。しかしこの化学増幅型レジストは、(1)高解像を得るため露光光の透過率を大きくしており、下地からの反射の影響を強く受け、ノッチや定在波効果による寸法変動を生じ易い、(2)高感度化を得るため触媒を用いた熱化学反応を利用しており、寸法のプロセスインターバル依存性や熱処理温度精度依存性がある、(3)寸法の基板材質や表面状態依存性がある等の種々の課題があるとされている。我々もこの化学増幅型レジストを用いてデバイス試作開発を進めているが、その過程でいくつかの課題に直面してきている。本報告ではこれらの課題に関連し、化学増幅型レジストの寸法変動要因である、反射の影響、PED(Post Exposure Dlay)の影響及び基板の影響について概説する。
- 1995-08-16
著者
-
金森 順
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
-
佐藤 功
茅ヶ崎徳洲会総合病院眼科
-
渡辺 実
沖電気工業株式会社
-
佐藤 功
東北学院大学工学部
-
佐藤 功
旭化成工業(株)樹脂技術センター
-
金森 順
沖電気工業
-
田口 隆
沖電気工業
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佐藤 功
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
-
渡辺 実
沖電気工業(株)超lsi研究開発センタ
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