NAKATA Yoshihiro | Fujitsu Laboratories Ltd.
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概要
関連著者
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NAKATA Yoshihiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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中村 友二
富士通研究所
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷
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水島 賢子
富士通研究所
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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藤本 興治
大日本印刷株式会社
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児玉 祥一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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金 永束
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
(株)富士通研究所
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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藤本 興冶
東京大学工学系研究科
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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IBA Yoshihisa
Fujitsu Laboratories Ltd.
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Nakamura Tomoji
Fujitsu Lab. Ltd.
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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KITADA Hideki
Fujitsu Laboratories Ltd
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Ohba Takayuki
The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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Mizushima Yoriko
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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Maeda Nobuhide
The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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Fujimoto Koji
Dai Nippon Printing, Kashiwa, Chiba 277-0871, Japan
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Kobayashi Yasushi
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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Nakaishi Masafumi
Fujitsu Limited, Akiruno Technology Center, 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan
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Kirimura Tomoyuki
Fujitsu Limited, Akiruno Technology Center, 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan
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Sasaki Makoto
Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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Mizushima Yoriko
Fujitsu Laboratories Ltd., Akiruno Technology Center, 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan
著作論文
- Effects of Etch Rate on Plasma-Induced Damage to Porous Low-$k$ Films
- Diffusion Resistance of Low Temperature Chemical Vapor Deposition Dielectrics for Multiple Through Silicon Vias on Bumpless Wafer-on-Wafer Technology
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係(配線・実装技術と関連材料技術)
- Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係