財満 鎭明 | 名古屋大学大学院 工学研究科
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概要
関連著者
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財満 鎭明
名古屋大学
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財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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酒井 朗
大阪大学
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坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
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坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
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小川 正毅
名古屋大学
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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酒井 朗
名古屋大学
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中塚 理
名古屋大学
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近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
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Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
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近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
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Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
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Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
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加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科
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世古 明義
名古屋大学
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加藤 公彦
名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会
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酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
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竹内 和歌奈
名古屋大学大学院光学研究科
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佐合 寿文
名古屋大学大学院工学研究科
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田岡 紀之
産業技術総合研究所
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竹内 和歌奈
名古屋大学大学院工学研究科
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堀 勝
名古屋大学
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加藤 公彦
名古屋大学総合保健体育科学センター
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中村 友二
富士通研究所
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堀 勝
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
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鬼頭 伸幸
名古屋大学大学院工学研究科
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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中村 友二
(株)富士通研究所
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古田 和也
名古屋大学大学院光学研究科
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科
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志村 洋介
名古屋大学
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櫻井 晋也
名古屋大学大学院工学研究科
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竹内 正太郎
名古屋大学
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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望月 省吾
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
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松井 裕高
名古屋大学大学院工学研究科
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大場 隆之
東京大学
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加藤 亮祐
名古屋大学大学院工学研究科
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京極 真也
名古屋大学大学院工学研究科
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Hiramatsu M
Nano Factory Graduate School Of Science And Technology Meijo University
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金 永〓
東京大学工学系研究科
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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Hori Masaru
School Of Engineering Nagoya University
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水島 賢子
富士通研究所
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藤塚 良太
名古屋大学大学院工学研究科:(現)東芝セミコンダクター社
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古田 和也
名古屋大学大学院工学研究科
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水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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柴山 茂矢
名古屋大学大学院工学研究科
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金 永束
東京大学
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金 永〓
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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田岡 紀之
名古屋大学大学院工学研究科
-
竹内 正太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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柴山 茂久
名古屋大学大学院工学研究科
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中村 友二
株式会社富士通研究所
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北田 秀樹
東京大学
著作論文
- MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電流検出型原子間力顕微鏡法を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Ge_Sn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御
- シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
- CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
- Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 仮想Ge基板上におけるGe_Sn_xバッファ層の歪および転位構造制御
- SOI基板上歪緩和SiGeバッファ層の転位構造とモザイシティ
- 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価
- Si_Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
- ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
- Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
- Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価(配線・実装技術と関連材料技術)