加藤 公彦 | 名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会の論文著者

関連著者

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中塚 理

  名古屋大学

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院光学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 田岡 紀之

  産業技術総合研究所

• 柴山 茂矢

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 柴山 茂久

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 公彦

  名古屋大学総合保健体育科学センター

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院光学研究科

• Kondo Hideo

  Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science

• Kondo Hirotomo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• Kondo H

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• 中塚 理

  名古屋大学大学院工学研究科

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著作論文

• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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