スパッタリング装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2004年版) -- (製造装置編)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Si(001)基板上に成長したAl結晶の構造評価
- 14p-DJ-7 Si(001)上のAl薄膜のSTM観察
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性
- 45nmノード以降に適用可能なCu配線用PVDバリアメタル技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- NCSを用いた多層配線技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
- 23pC1 TEMによるAI配線のエレクトロマイグレーションその場観察(その場観察I)
- TEMによるAl配線のエレクトロマイグレーションその場観察
- Cu-Mn合金を用いた高信頼超薄膜バリアメタル
- 3a-Q-3 Si(hhm)(m/h=1.4-1.5)面のSTM観察
- スパッタリング装置 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2004年版) -- (製造装置編)