三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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10μm以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスの積層には、裏面研削がSi基盤に与えるダメージを正確に把握する必要がある。異なる研削条件および研削量を変えた時の基盤のダメージを、表面凹凸・TEM観察・ラマンによるストレス測定に加え、初めて陽電子消滅法による空隙欠陥についても評価した。荒研削後は約3μmのダメージが形成されるが、そのダメージは仕上げ研削により除去され、新たに200nmのダメージが形成される。表層から約100nmまでの深さには空隙欠陥が存在していた。その後にCMP処理を行うと、TEMで観察可能なダメージは消滅し、数nmのアモルファス層のみが形成された。ダメージ層の質および厚さは、研削方法による差は著しいが、同一研削方法で研削量を多くしてもダメージの厚さは増加しないことが確認された。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2014-02-21

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