Y_2O_3およびYAlO_x膜の熱処理依存性評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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Si基板上(自然酸化膜上)および表面を酸窒化処理したSi基板上に成膜したY_2O_3およびYAlO_x膜について、高温熱処理を行い、界面反応性や化学結合状態の変化、結晶性の詳細をTEM, SIMS, HR-RBS, XPS, FT-IR ATR 等により調べた結果、界面の酸窒化処理や膜のアルミネート化は界面反応および膜の結晶化を抑制することが明かとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
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橋本 秀樹
株式会社東レリサーチセンター
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山元 隆志
株式会社東レリサーチセンター
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小林 一三
日本酸素株式会社つくば研究所
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泉 由貴子
株式会社東レリサーチセンター
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大沢 正典
大陽日酸株式会社
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杉田 義博
富士通株式会社プロセス開発部
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小林 一三
日本酸素株式会社産業ガス事業本部技術統括部
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小林 一三
日本酸素株式会社 電子機材事業本部
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橋本 秀樹
東レリサーチセ
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大沢 正典
日本酸素株式会社産業ガス事業本部技術統括部
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