スパッタ法とCVD法とスパッタ・リフロー法とで成膜したCMP-Cu配線の特性比較
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概要
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CMPにより作成したCu配線のエレクトロマイグレーション特性を評価討した. Cuの成膜にはCVDとスパッタ+リフロー法を用い, CMPにより配線を形成した. これらの方法で作成したCu配線の特性を比較検討した. CVD法で成膜したCuの場合は, 50%故障の時間が21時間(210℃, 5MA/cm^2)であるのに対し, スパッタ+リフロー法で成膜したCuは2850時間にものぼった. Cuのグレインサイズを比較した所, CVDは0.5μmであるのに対し, スパッタ+リフロー法では, 1μmであった. この差が主に関係していると思われる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-26
著者
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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三沢 信裕
富士通株式会社
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星野 雅孝
富士通プロセス開発部
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三沢 信裕
富士通プロセス開発部
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角田 一夫
富士通プロセス開発部
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大迫 なぎさ
富士通プロセス開発部
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岡本 茂
富士通プロセス開発部
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大場 隆之
富士通プロセス開発部
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八木 春良
富士通プロセス開発部
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山田 雅雄
富士通プロセス開発部
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古村 雄二
富士通プロセス開発部
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古村 雄二
フィルブリッジ
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山田 雅雄
富士通株式会社プロセス開発部第四開発部
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