MPA (methylpyrrolidine alane)を用いたAl CVD技術
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概要
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アスペクト比の大きなコンタクト孔へ低抵抗金属Alを埋め込む技術として、CVDとスパッタリングを組み合わせたプロセスを検討している。Al-CVD技術として、本研究では新規有機金属材料であるmethylpyrrolidine alane (MPA)を用いた。典型的な堆積温度は100-120℃程度である。Al CVD膜中不純物にオージェ分析した結果、炭素や酸素は検出限界の0.1%以下であった。Al-CVDとAl-PVDを組み合わせて、微細孔への堆積を試み、孔径0.25μm、アスペクト比4.3のコンタクト孔がAlで完全に埋め込むことができた。Al-CVD/Al-PVD膜の表面の反射率は、Siに対する相対反射率で215%(@480nm)であった。また、MPAの堆積過程をFourier-Transform Infrared-Spectroscopy (FT-IR)法によって観測し、MPAが2段階で反応することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
-
益 一哉
東京工業大学
-
高橋 善和
(株)アルバック筑波超材料研究所
-
坂本 学
東京工業大学精密工学研究所
-
石川 道夫
(株)アルバック半導体技術研究所
-
畠中 正信
(株)アルバック
-
石川 道夫
株式会社アルバック半導体技術研究所
-
高橋 善和
(株)アルバック半導体技術研究所
-
杉本 恵理
(株)アルバック半導体技術研究所
-
古村 雄二
フィルブリッジ
-
李 珍一
(株)アルバック半導体技術研究所
-
畠中 正信
(株)アルバック半導体技術研究所
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