極薄ゲート絶縁膜の高品質化

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概要

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ウルトラクリーン酸化炉を用い、ドライ酸素にオゾンを混入させることにより、TDDB特性とF-N注入後の界面準位密度の少ないゲート酸化膜が得られた。また、Si基板をウェット洗浄するさいに形成される自然酸化膜を、ゲート酸化に先立ってUV/O_3処理によって緻密化することにより、ゲート酸化膜のリーク電流を1桁以上減少させ、界面準位密度も大幅に低減することに成功した。以上の結果は、ゲート酸化膜中のH、OH等の不純物や酸素欠損がO_3酸化やUV/O_3処理によって低減できた為と考えられる。さらに、酸化膜中の歪がゲート酸化膜の信頼性に及ぼす効果について、非経験的分子軌道法を基に検討した結果、これらの歪はホールのトラップとなることが判明した。
1995-05-24

著者

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