渡邊 祐 | 株式会社 富士通研究所

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概要

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• 増田 哲

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• 増田 哲

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 小野 克二

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• 増田 哲

  株式会社 富士通研究所

• 渡邊 祐

  富士通研究所

• 常信 和清

  富士通株式会社:株式会社富士通研究所

• 増田 哲

  株式会社富士通研究所

• 飯島 真也

  株式会社富士通研究所

• 横川 茂

  富士通カンタムデバイス(株)

• 西 眞弘

  富士通カンタムデバイス(株)

• 小野 克二

  株式会社富士通研究所

• 原 直紀

  株式会社富士通研究所

• 中舎 安宏

  富士通研究所

• 宮田 忠幸

  富士通研究所

• 滝川 正彦

  富士通研究所

• 長原 正樹

  富士通カンタムデバイス

• 中舎 安宏

  株式会社富士通研究所

• 常信 和清

  株式会社富士通研究所

• 滝川 正彦

  株式会社富士通研究所

• 西 眞広

  富士通カンタムデバイス(株)

• 西 眞弘

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 横川 茂

  富士通カンタムデバイス

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研究所

• 大橋 洋二

  株式会社富士通研究所

• 飯島 真也

  株式会社 富士通研究所

• 落水 洋聡

  (株)富士通研究所

• 大橋 洋二

  富士通株式会社

• 宮田 忠幸

  (株)富士通研究所

• 中舎 安宏

  (株)富士通研究所

• 黒田 滋

  (株)富士通研究所

• 黒田 滋

  富士通研

• 今西 健治

  富士通

• 志村 忠幸

  株式会社 富士通研究所

• 重松 寿生

  株式会社富士通研究所

• 佐藤 優

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• 高橋 剛

  富士通研究所

• 田中 均

  富士通研究所

• 重松 寿生

  富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 牧山 剛三

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  富士通研究所

• 佐藤 優

  富士通研究所高速ICテクノロジ研究部

• 加納 英樹

  株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所

• 原 直紀

  富士通研究所

• 落水 洋聡

  富士通研究所

• 栗田 滋

  富士通研究所

• 鈴木 俊秀

  富士通株式会社

• 内野 秀幸

  富士通カンタムデバイス

• 青木 芳雄

  富士通カンタムデバイス

• 青木 芳雄

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 中村 寛一

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 籾山 陽一

  株式会社 富士通研究所

• 小杉 真人

  株式会社 富士通研究所

• 杉井 寿博

  株式会社 富士通研究所

• 常信 和清

  富士通研究所

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 鈴木 俊秀

  富士通研究所

• 加納 英樹

  株式会社富士通研究所

• 大西 裕明

  富士通研究所

• 内野 秀幸

  富士通カンタムデバイス(株)

• 大橋 洋二

  株式会社 富士通研究所

• 志村 忠幸

  株式会社富士通研究所

• 牧山 剛三

  株式会社 富士通研究所

• 原 直樹

  富士通研究所

• 今西 健治

  富士通研

• 佐藤 優

  富士通研究所

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著作論文

• インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
• SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
• 幾何学形状を考慮したFET小信号等価回路モデル
• 0.8V低電力HEMTプリスケーラ
• 0.7-mW/2-GHzデュアルジュラスプリスケーラIC
• プリスケーラ用低電力フリップフロップの検討
• SC-5-2 InGaPチャネルFETにおける高耐圧化の機構
• メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS
• C-2-15 フリップチップ実装を用いた38/76GHzシングルバランス型周波数逓倍器
• C-2-61 フリップチップコプレーナ線路によるW帯多段増幅器MMIC
• W帯MMIC多段増幅器
• InP HEMTを用いた超広帯域プリアンプIC
• インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
• インバーテドマイクロストリップ線路を用いた低コストフリップチップ多層MMIC
• 70GHz広帯域分布増幅器
• SC-10-1 分布型FETモデルを用いたデバイスパラメタのゲート幅スケーリングの検討
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討
• 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化

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